FF33MR12W1M1HPB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, ModuleFF33MR12W1M1HPB11BPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 9 440 ₽)В заявку
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1, Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 10-Pin TrayFF33MR12W1M1HPB11BPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 10 710 ₽)В заявку
нет фотоFF3MR12KM1HSHPSA1, MOSFET Modules MEDIUM POWER 62MMFF3MR12KM1HSHPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 45 970 ₽)В заявку
FF4000 Type N-Channel MOSFET, 500 A, 3300 V Enhancement AG-XHP2K33 FF4000UXTR33T2M1BPSA1FF4000UXTR33T2M1BPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 1 499 300 ₽)В заявку
FF4000UXTR33T2M1BPSA1, Infineon FF4000 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 3300 V / 500 A AG-XHP2K33FF4000UXTR33T2M1BPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 597 200 ₽)В заявку
FF450R12ME4BOSA1, IGBT модуль FF450R12ME4 SP000389732 INFFF450R12ME4BOSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 13 390 ₽)В заявку
FF45MR12W1M1B11, Модуль, транзистор/транзистор, 1,2кВ, 25А, AG-EASY1BM-2, Idm: 50АFF45MR12W1M1B11INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 13 930 ₽)В заявку
FF4MR12W2M1HB70BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, ModuleFF4MR12W2M1HB70BPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 50 370 ₽)В заявку
FF4MR20KM1HHPSA1,Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 280 A, 2 kV, 0.0053 ohm, ModuleFF4MR20KM1HHPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 98 630 ₽)В заявку
FF4MR20KM1HPHPSA1, Trans MOSFET N-CH SiC 2KV 245A 7-Pin TrayFF4MR20KM1HPHPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 112 800 ₽)В заявку
FF55MR12W1M1HB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, ModuleFF55MR12W1M1HB11BPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 5 960 ₽)В заявку
FF55MR12W1M1HB11BPSA1, Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 15A 10-Pin TrayFF55MR12W1M1HB11BPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 7 660 ₽)В заявку
FF55MR12W1M1HB70BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, ModuleFF55MR12W1M1HB70BPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 9 590 ₽)В заявку
FF55MR12W1M1HB70BPSA1, Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 15A 10-Pin TrayFF55MR12W1M1HB70BPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 13 740 ₽)В заявку
FF5MR20KM1HHPSA1, CoolSiC Trench MOSFETFF5MR20KM1HHPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 46 010 ₽)В заявку
FF5MR20KM1HHPSA1,Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 195 A, 2 kV, 0.008 ohm, ModuleFF5MR20KM1HHPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 67 820 ₽)В заявку
FF5MR20KM1HPHPSA1, Cool SiC MOSFET half bridge moduleFF5MR20KM1HPHPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 46 900 ₽)В заявку
нет фотоFF5MR20KM1HSHPSA1, MOSFET Modules MEDIUM POWER 62MMFF5MR20KM1HSHPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 53 560 ₽)В заявку
FF6MR12KM1BOSA1, Dual FF6MR 1 Type N-Channel MOSFET, 250 A, 1200 V Enhancement AG-62MMFF6MR12KM1BOSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 152 000 ₽)В заявку
FF6MR12KM1HHPSA1,Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 140 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, ModuleFF6MR12KM1HHPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 40 550 ₽)В заявку
FF6MR12KM1HPHPSA1,Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 175 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, ModuleFF6MR12KM1HPHPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 65 090 ₽)В заявку
FF6MR12W2M1HB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 145 A, 1.2 kV, 0.0054 ohm, ModuleFF6MR12W2M1HB11BPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 31 580 ₽)В заявку
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1, Infineon N-Kanal MOSFETFF6MR12W2M1HPB11BPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 30 470 ₽)В заявку
FF6MR20W2M1HB70BPSA1, Infineon FF6MR N-Kanal Quad, THT MOSFET 2000 V / 160 A AG-EASY2BFF6MR20W2M1HB70BPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 44 820 ₽)В заявку
FF6MR20W2M1HB70BPSA1, MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 2000 VFF6MR20W2M1HB70BPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 42 340 ₽)В заявку
FF6MR Type N-Channel MOSFET, 150 A, 1200 V Enhancement AG-EASY2B FF6MR20W2M1HB70BPSA1FF6MR20W2M1HB70BPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 217 900 ₽)В заявку
FF7MR12W1M1HB17BPSA1, MOSFET Transistor, N Channel, 105 A, 1.2 kV, 0.0058 ohm, 18 V, 5.15 VFF7MR12W1M1HB17BPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 28 240 ₽)В заявку
FF8MR12W1M1HB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 90 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, ModuleFF8MR12W1M1HB11BPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 21 090 ₽)В заявку
FF8MR12W1M1HB70BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, ModuleFF8MR12W1M1HB70BPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 26 070 ₽)В заявку
FF900R17ME7WB11BPSA1, Infineon P-Kanal MOSFETFF900R17ME7WB11BPSA1INFINEON TECHNOLOGIES AG.По запросу(от 49 570 ₽)В заявку