FF6MR12KM1HHPSA1,Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 140 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046404874
- Артикул
- FF6MR12KM1HHPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type:
- Half Bridge
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 40 550 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули 1200 В CoolSiC™ От Infineon Technologies Модули 1200 В CoolSiC™ - это модули на МОП-транзистораx из карбида кремния (SiC), которые обеспечивают высокий уровень эффективности и гибкости системы. Эти модули оснащены цепями, близкими к пороговым значениям (NTC), и контактной теxнологией PressFIT. Модули CoolSiC отличаются высокой плотностью тока, лучшими в своем классе потерями при переключении и проводимости, а также низкой индуктивностью. Эти модули обеспечивают высокочастотную работу, повышенную удельную мощность и оптимизированное время цикла разработки и стоимость.
Технические параметры
| Type: | Half Bridge |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Part # Aliases: | FF6MR12KM1H SP005861528 |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Factory Pack Quantity: | 10 |