Подразделы каталога транзисторов
Транзисторы разделены по типу структуры, потому что от неё зависит и схема управления, и область применения. Внутри подраздела позиции фильтруются по полярности, предельным параметрам и корпусу.
Помимо одиночных приборов встречаются сборки: два MOSFET в одном корпусе для полумостовых схем, пары биполярных транзисторов, транзисторы Дарлингтона с высоким коэффициентом усиления. Такие варианты экономят место на плате и упрощают трассировку, но требуют внимательной сверки цоколевки с datasheet, потому что расположение выводов у разных производителей может отличаться даже в одинаковом корпусе.
- полевые транзисторы (FET, MOSFET) с N- и P-каналом, в том числе с управлением логическим уровнем;
- биполярные транзисторы (BJT) структуры NPN и PNP, сигнальные и мощные;
- биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) для коммутации больших мощностей;
- цифровые транзисторы (BRT) со встроенными резисторами в цепи базы.
Где применяют транзисторы из раздела
MOSFET чаще всего ставят ключами в импульсные источники питания, DC-DC преобразователи, схемы управления двигателями и защиты от переполюсовки. IGBT работают в инверторах, частотных преобразователях, сварочном и индукционном оборудовании, где напряжения измеряются сотнями вольт. Биполярные транзисторы по-прежнему нужны в усилительных каскадах, линейных стабилизаторах и простых схемах коммутации. Цифровые транзисторы экономят место на плате: резисторы смещения уже находятся внутри корпуса.
Отдельная группа заказчиков ремонтирует силовые платы промышленного оборудования. Им важно получить транзистор с тем же part number, что стоял в устройстве, поэтому в заявке стоит указывать полную маркировку.
Параметры, которые проверяют перед заказом
- максимальное напряжение сток-исток (VDS) или коллектор-эмиттер (VCE) с запасом относительно рабочего;
- длительный и импульсный ток стока или коллектора;
- сопротивление открытого канала RDS(on) и заряд затвора Qg для MOSFET, напряжение насыщения для IGBT;
- коэффициент усиления по току для биполярных транзисторов;
- корпус и тепловое сопротивление: SOT-23, DPAK, TO-220, TO-247 и другие;
- пороговое напряжение затвора, если транзистор управляется напрямую от микроконтроллера.
Тепловой режим и монтаж
Предельный ток из таблицы datasheet достижим только при идеальном охлаждении корпуса, поэтому мощные транзисторы выбирают с учётом реального теплоотвода. Для корпусов TO-220 и TO-247 обычно нужен радиатор, а если его фланец находится под потенциалом схемы, ещё и изолирующая прокладка с втулкой. У SMD-корпусов вроде DPAK и D2PAK тепло уходит через площадку на плате, и её площадь заметно влияет на температуру кристалла. В двухтактных каскадах часто используют комплементарные пары NPN и PNP, и их удобно заказывать одной заявкой.
Заявка на транзисторы
Если part number известен, найдите его в каталоге, проверьте характеристики и datasheet в карточке и добавьте позицию в «Мою заявку». Для комплекта из десятков наименований подойдёт отправка списка файлом. При ремонте, когда на корпусе только сокращённый код, пришлите фото транзистора и места установки. Регистрация не нужна: оставьте телефон или почту, менеджер уточнит стоимость и сроки и предложит варианты.