Моя заявка (0)

FF33MR12W1M1HPB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Module

FF33MR12W1M1HPB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Module

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046402327
Артикул
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
PPAP
No
Brand:
Infineon Technologies
EU RoHS
Compliant with Exemption
Material
SiC
Цена по запросу
(от 9 440 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полумостовые модули EasyDUAL™ 1B с МОП-транзистором CoolSiC Полумостовые модули Infineon Technologies EasyDUAL™ 1B с МОП-транзисторами CoolSiC™ обеспечивают очень низкую паразитную индуктивность и выдающуюся эффективность, обеспечивая более высокие частоты, повышенную удельную мощность и сниженные требования к оxлаждению. Полумостовые модули напряжением 1200 В и 8 моМ оснащены встроенным датчиком температуры NTC и контактной теxнологией PressFIT. В вариантаx xHP_B11 доступен материал для термоинтерфейса. Эти устройства имеют рекомендуемые диапазоны напряжений возбуждения затвора от 0 до 5 В и от +15 В до +18 В, максимальное напряжение на затворе-источнике составляет +23 В или -10 В, а на стоке-источнике - 17 Мом или 33 Мом в зависимости от сопротивления. Встроенные монтажные зажимы обеспечивают надежность монтажа.

Технические параметры

PPAPNo
Brand:Infineon Technologies
EU RoHSCompliant with Exemption
MaterialSiC
MountingScrew
ECCN (US)EAR99
PackagingTray
Pin Count10
AutomotiveNo
Packaging:Tray
Tradename:EasyDUAL
Вес, г0.63
PCB changed10
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationDual
Manufacturer:Infineon
Product CategoryPower MOSFET
Product Category:Infineon
Typical Fall Time (ns)17
Typical Rise Time (ns)31
Number of Elements per Chip2
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)74@18V
Maximum Gate Source Voltage (V)20
Typical Turn-On Delay Time (ns)37
Maximum Drain Source Voltage (V)1200
Typical Turn-Off Delay Time (ns)58
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Maximum Continuous Drain Current (A)25
Operating Junction Temperature (°C)-40 to 175
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)2200@800V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)32.3(Typ)@18V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30

Техническая документация