FF6MR12KM1BOSA1, Dual FF6MR 1 Type N-Channel MOSFET, 250 A, 1200 V Enhancement AG-62MM
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033013794
- Артикул
- FF6MR12KM1BOSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- FF6MR
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 152 000 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полумостовой модуль Infineon 62 мм, 1200 В, 6 Мом с МОП-транзистором Cool Sic™. Высокая плотность тока и низкие потери при переключении
Технические параметры
| Series | FF6MR |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | AG-62MM |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.45V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.81 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.00581Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 250 A |
| Линейка Продукции | CoolSiC C |
| Непрерывный Ток Стока | 250А |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Конфигурация МОП-транзистора | Half Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.00581Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |