FF4MR12W2M1HB70BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050442962
- Артикул
- FF4MR12W2M1HB70BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type:
- Half Bridge
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 39
Цена по запросу
(от 50 370 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули 1200 В CoolSiC™ M1H От Infineon Technologies Модули 1200 В CoolSiC™ M1H от Infineon Technologies предоставляют разработчикам электромобилей и другиx инверторныx устройств возможности для достижения невиданныx ранее уровней эффективности и плотности мощности.
Технические параметры
| Type: | Half Bridge |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 39 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET Modules |
| Configuration: | Dual |
| Part # Aliases: | FF4MR12W2M1H_B70 SP005749125 |
| Product Category: | MOSFET Modules |
| Factory Pack Quantity: | 15 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +23 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 170 A |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.15 V |