FF45MR12W1M1B11, Модуль, транзистор/транзистор, 1,2кВ, 25А, AG-EASY1BM-2, Idm: 50А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002589946
- Артикул
- FF45MR12W1M1B11
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- AG-EASY1BM-2
- Topology
- MOSFET half-bridge, NTC thermistor
- Technology
- CoolSiC™, SiC
- Вес, г
- 22
Цена по запросу
(от 13 930 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Модуль, транзистор/транзистор, 1,2кВ, 25А, AG-EASY1BM-2, Idm: 50А Характеристики Категория Транзистор Тип модуль Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | AG-EASY1BM-2 |
| Topology | MOSFET half-bridge, NTC thermistor |
| Technology | CoolSiC™, SiC |
| Вес, г | 22 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 25A |
| Type of module | MOSFET transistor |
| Electrical mounting | Press-Fit |
| Gate-source voltage | -10…20V |
| Mechanical mounting | screw |
| On-state resistance | 45mΩ |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Pulsed drain current | 50A |
| Особенности | - |
| Semiconductor structure | transistor/transistor |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |