Моя заявка (0)

FF8MR12W1M1HB70BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, Module

FF8MR12W1M1HB70BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, Module

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046405811
Артикул
FF8MR12W1M1HB70BPSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type:
Half Bridge
Brand:
Infineon Technologies
Packaging:
Tray
Вес, г
24
Цена по запросу
(от 26 070 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Type:Half Bridge
Brand:Infineon Technologies
Packaging:Tray
Вес, г24
Technology:Si
Subcategory:Discrete and Power Modules
Manufacturer:Infineon
Product Type:Discrete Semiconductor Modules
Part # Aliases:FF8MR12W1M1H_B70 SP005634508
Product Category:Discrete Semiconductor Modules
Factory Pack Quantity:24

Техническая документация