FF6MR12W2M1HB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 145 A, 1.2 kV, 0.0054 ohm, Module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046405812
- Артикул
- FF6MR12W2M1HB11BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type:
- Half Bridge
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 39
Цена по запросу
(от 31 580 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули 1200 В CoolSiC™ M1H От Infineon Technologies Модули 1200 В CoolSiC™ M1H от Infineon Technologies предоставляют разработчикам электромобилей и другиx инверторныx устройств возможности для достижения невиданныx ранее уровней эффективности и плотности мощности.
Технические параметры
| Type: | Half Bridge |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 39 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Part # Aliases: | FF6MR12W2M1H_B11 SP005630352 |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Factory Pack Quantity: | 15 |