FF33MR12W1M1HPB11BPSA1, Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 25A 10-Pin Tray
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022144352
- Артикул
- FF33MR12W1M1HPB11BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- No
- Brand:
- Infineon Technologies
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Material
- SiC
Цена по запросу
(от 10 710 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
10-контактный лоток для транзистора MOSFET N-CH SiC 1,2 кВ 25А
Технические параметры
| PPAP | No |
| Brand: | Infineon Technologies |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | SiC |
| Mounting | Screw |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tray |
| Pin Count | 10 |
| Automotive | No |
| Packaging: | Tray |
| Tradename: | EasyDUAL |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 10 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Category | Power MOSFET |
| Product Category: | Infineon |
| Структура | N-Channel |
| Typical Fall Time (ns) | 17 |
| Typical Rise Time (ns) | 31 |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 74@18V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 37 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 1200 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 58 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 25 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 175 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2200@800V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 32.3(Typ)@18V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | - |