Моя заявка (0)

ZXTP717MATA, 100nA 12V 1.5W 70@10A,2V 4A 110MHz 240mV@4A,150mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) DFN-3(2x2) BIpolar TransIstors - BJT

ZXTP717MATA, 100nA 12V 1.5W 70@10A,2V 4A 110MHz 240mV@4A,150mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) DFN-3(2x2) BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017630774
Артикул
ZXTP717MATA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.03
Серия
ZXTP717
Структура
pnp
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 44 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN

Технические параметры

Вес, г0.03
СерияZXTP717
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокDFN2020B-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности1.5 W
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7.5 V
Непрерывный коллекторный ток4 A
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)4
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.12 V
Максимальный постоянный ток коллектора12 A
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц110
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)110 MHz

Техническая документация