ZXTP5401ZTA, 50nA 150V 1.2W 130@50mA,5V 600mA 100MHz 70mV@50mA,5mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070169549
- Артикул
- ZXTP5401ZTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- ZXTP5401
- Вес, г
- 0.15
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZXTP5401 |
| Вес, г | 0.15 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-89-3 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 50 at 1 mA, 5 V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 160 V |
| Maximum DC Collector Current: | 600 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 150 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 70 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |