ZXTP25100CZTA, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017550984
- Артикул
- ZXTP25100CZTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand
- Diodes Incorporated
- Series
- ZXTP25100
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 280 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 100V 1A
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Series | ZXTP25100 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 4.6 mm |
| Серия | ZXTP25100 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Высота | 1.6 mm |
| Ширина | 2.6 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-89-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Pd - Power Dissipation | 4460 mW |
| Power Dissipation (Pd) | 2.4W |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 180 MHz |
| Transition Frequency (fT) | 180MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 115 V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@10mA, 2V |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 100 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 100V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 4460 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 155mV@1A, 100mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 115 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |