Моя заявка (0)
ZXTP25100BFHTA DIODES

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8072281871
Артикул
ZXTP25100BFHTA
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
ZXTP25100
Pin Count
3
Вес, г
1.9
Цена по запросу
(от 122 ₽)
Минимальный заказ: 63 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ТРАНЗИСТОР, PNP, 100 В, 2 А, 1,25 Вт, SOT-23, Полярность транзистора: PNP, Напряжение коллектор-эмиттер, V(br)ceo:100 В, Частота переxода ft:200 МГц, Рассеиваемая мощность Pd:1,25 Вт, Ток коллектора постоянного тока:2 А, Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 200hFE, соответствует требованиям RoHS: Да

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:ZXTP25100
Pin Count3
Вес, г1.9
Technology:Si
Package TypeSOT-23
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Diodes Incorporated
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor TypePNP
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor PolarityPNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo
Transistor Polarity:PNP
Minimum DC Current Gain100
Pd - Power Dissipation:1.81 W
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1.81 W
Gain Bandwidth Product fT:200 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
Maximum Operating Frequency200 MHz
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current2 A
Maximum Emitter Base Voltage-7 V
Collector- Base Voltage VCBO:140 V
Maximum DC Collector Current:2 A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage-140 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Collector Emitter Voltage100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:215 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация