ZXTP25020DFHTA, Bipolar Transistors - BJT PNP 20V HIGH GAIN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005061282
- Артикул
- ZXTP25020DFHTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand
- Diodes Incorporated
- Series
- ZXTP25020
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 98,99 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 20V HIGH GAIN
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Series | ZXTP25020 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 3.05 mm |
| Серия | ZXTP25020 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.4 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Power Dissipation | 1.81Вт |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 1810 mW |
| DC Current Gain HFE Max | 900 at-10 mA, -2 V |
| DC Current Gain hFE Min | 70hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | - |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 290 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -7 V |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | -25 V |
| Continuous Collector Current | -4 A |
| Maximum DC Collector Current | -4 A |
| Collector Emitter Voltage Max | 20В |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 20 at-10 A, -2 V |
| DC Усиление Тока hFE | 70hFE |
| Линейка Продукции | - |
| Частота Перехода ft | 290МГц |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -20 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 60 mV |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1810 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 25 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 60 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 900 at - 10 mA, - 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 at - 10 A, - 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 290 MHz |