Моя заявка (0)
ZXTP25020BFHTA, SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070052561
Артикул
ZXTP25020BFHTA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.03
Длина
3.05 mm
Серия
ZXTP250
Высота
1 mm
Цена по запросу
(от 89,28 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP 20V 4A 3-PIN

Технические параметры

Вес, г0.03
Длина3.05 mm
СерияZXTP250
Высота1 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.4 mm
Transistor TypePNP
Power Dissipation1.81Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)4A
Power Dissipation (Pd)1.25W
DC Current Gain hFE Min50hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)250MHz
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
Continuous Collector Current4А
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@10mA, 2V
Collector Emitter Voltage Max20В
Collector Cut-Off Current (Icbo)50nA
DC Усиление Тока hFE50hFE
Частота Перехода ft250МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)20V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности1810 mW
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)210mV@500mA, 5A
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.20 V
Максимальный постоянный ток коллектора4 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)250 MHz

Техническая документация