Моя заявка (0)

ZXTP25012EFHTA, 12V 1.25W 500@10mA,2V 4A PNP SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT

ZXTP25012EFHTA, 12V 1.25W 500@10mA,2V 4A PNP SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070136985
Артикул
ZXTP25012EFHTA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.02
Длина
3.04 mm
Серия
ZXTP250
Высота
1.02 mm
Цена по запросу
(от 92,22 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP 12V HIGH GAIN

Технические параметры

Вес, г0.02
Длина3.04 mm
СерияZXTP250
Высота1.02 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.4 mm
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности1810 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)12 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.12 V
Максимальный постоянный ток коллектора4 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.500 at 10 mA, 2 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)500 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 50 at 4 A, 2
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)310 MHz

Техническая документация