Diodes Inc ZXTP2041FTA PNP Transistor, -1 A, -40 V, 3-Pin SOT-23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014471111
- Артикул
- ZXTP2041FTA
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 33 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 40V 1A 3-PIN
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | ZXTP20 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.3 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | pnp |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 300 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 350 mW |
| Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | -40 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 350 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 40 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 40 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1@50mA@1A |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.2@1mA@100mA|0.3@20mA@500mA|0.5@100mA@1A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 1 mA at 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 1 mA at 5 V, 300 at 100 mA at 5 V, 250 at 5 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |