ZXTP2039FTA, Trans GP BJT PNP 60V 1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001070921
- Артикул
- ZXTP2039FTA
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 18 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT PNP 60V 1A 350 МВт 3-контактный SOT-23 T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Длина: | 2.9 mm |
| Серия: | ZXTP20 |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Configuration | Single |
| Высота: | 1 mm |
| Ширина: | 1.3 mm |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | pnp |
| Standard Package Name | SOT |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 100@1mA@5V|100@500mA@5V|80@1A@5V|15@2A@5V |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Торговая марка: | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок: | SOT-23-3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 350 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 60 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@100mA@1A |
| Полярность транзистора: | PNP |
| Pd - рассеивание мощности: | 350 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.2@2mA@100mA|0.3@50mA@500mA|0.6@100mA@1A |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 80 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 150 MHz |