ZXTP2014GTA, Bipolar Transistors - BJT 140V PNP Hi Voltage
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004842117
- Артикул
- ZXTP2014GTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.11
- Длина
- 6.7 mm (Max)
- Серия
- ZXTP201
- Высота
- 1.65 mm (Max)
Цена по запросу
(от 158,64 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 140V PNP Hi Voltage
Технические параметры
| Вес, г | 0.11 |
| Длина | 6.7 mm (Max) |
| Серия | ZXTP201 |
| Высота | 1.65 mm (Max) |
| Ширина | 3.7 mm (Max) |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 3W |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum DC Collector Current | 4A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 140V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 140 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 275 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |