ZXTP2012ASTZ, 60V 1W 100@1A,1V 3.5A PNP E-LIne BIpolar (BJT) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044780442
- Артикул
- ZXTP2012ASTZ
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 1
- Длина
- 4.77 mm
- Серия
- ZXTP20
- Высота
- 4.01 mm
Цена по запросу
(от 142,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 4.77 mm |
| Серия | ZXTP20 |
| Высота | 4.01 mm |
| Ширина | 2.41 mm |
| Упаковка | Ammo Pack |
| Power Dissipation | 1Вт |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| DC Current Gain hFE Min | 65hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | - |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Continuous Collector Current | 3.5А |
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| DC Усиление Тока hFE | 65hFE |
| Линейка Продукции | - |
| Частота Перехода ft | 120МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | E-Line |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3.5 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 at 10 mA, 1 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |