ZXTP2008ZTA, Транзистор: PNP; биполярный
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062087003
- Артикул
- ZXTP2008ZTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Tab
- Tab
- ECCN
- EAR99
- PPAP
- No
- Type
- PNP
Цена по запросу
(от 164 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 30V PNP Low Sat
Технические параметры
| Tab | Tab |
| ECCN | EAR99 |
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Flat |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 4.6 mm (Max) |
| Серия | ZXTP2008 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.1W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | SOT-89 |
| REACH Status | REACH Affected |
| Высота | 1.6 mm (Max) |
| Ширина | 2.6 mm (Max) |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-243AA |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-89 |
| Структура | pnp |
| Base Product Number | ZXTP2008 -> |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 110MHz |
| Pd - Power Dissipation | 2.1W |
| Minimum DC Current Gain | 100 10mA 1V|100 1A 1V|70 5A 1V|10 20A 1V |
| Supplier Device Package | SOT-89-3 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Maximum Operating Frequency | 110 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Maximum DC Collector Current | 5.5A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -7 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 175mV @ 500mA, 5.5A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5.5A |
| Maximum Collector Base Voltage | -50 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2100 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| Maximum DC Collector Current (A) | 5.5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -30 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 110(Typ) |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 30V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 1V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 30 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.07 500mA 5.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 2100 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5.5 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 110 MHz |