Diodes Inc ZXTP19100CGTA PNP Transistor, -2 A, -100 V, 3 + Tab-Pin SOT-223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009784706
- Артикул
- ZXTP19100CGTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 100V 2A
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3+Tab |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 5 |
| Длина | 6.7 mm |
| Серия | ZXTP191 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Высота | 1.65 mm |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.7 mm |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 10.2 W |
| Maximum Operating Frequency | 142 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum DC Collector Current | -2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -7 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | -110 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 5300 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 2 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -100 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 110 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 142(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 100 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 50 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1@200mA@2A |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 5300 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 110 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 130 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 at - 100 mA, -2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 at - 2 A, - 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 142 MHz |