ZXTP19060CFFTA, Bipolar Transistors - BJT PNP 60V Transistor
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004585585
- Артикул
- ZXTP19060CFFTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand
- Diodes Incorporated
- Series
- ZXTP19060
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 147 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 60V Transistor
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Series | ZXTP19060 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 3 mm (Max) |
| Серия | ZXTP19060 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package Type | SOT-23F |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Высота | 1 mm (Max) |
| Ширина | 1.7 mm (Max) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23F-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 2000 mW |
| DC Current Gain HFE Max | 500 at-100 mA, -2 V |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 180 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -7 V |
| Maximum Operating Frequency | 180 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23F-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | -60 V |
| Continuous Collector Current | -4 A |
| Maximum DC Collector Current | -4 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -7 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 30 at-4 A, -2 V |
| Maximum Collector Base Voltage | -60 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -60 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 75 mV |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 75 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 at - 100 mA at -2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at - 4 A at - 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |