ZXTP03200BGTA, 50nA 200V 1.25W 5@5A,5V 2A 105MHz 180mV@2A,400mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223-4 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017629570
- Артикул
- ZXTP03200BGTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.14
- Серия
- ZXTP032
- Корпус
- SOT-223
- Power Dissipation
- 5.8Вт
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic Vceo -200V
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Серия | ZXTP032 |
| Корпус | SOT-223 |
| Power Dissipation | 5.8Вт |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 20hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Continuous Collector Current | 2А |
| Collector Emitter Voltage Max | 200В |
| DC Усиление Тока hFE | 20hFE |
| Частота Перехода ft | 105МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 11.9 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 220 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 200 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 37 mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 105 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 105 MHz |