Моя заявка (0)

ZXTP03200BGTA, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Surface Mount

ZXTP03200BGTA, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017377285
Артикул
ZXTP03200BGTA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.001
Серия
ZXTP032
Корпус
SOT-223
Power Dissipation
5.8Вт
Цена по запросу
(от 203 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic Vceo -200V

Технические параметры

Вес, г0.001
СерияZXTP032
КорпусSOT-223
Power Dissipation5.8Вт
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min20hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-223-4
Continuous Collector Current2А
Collector Emitter Voltage Max200В
DC Усиление Тока hFE20hFE
Частота Перехода ft105МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность ТранзистораPNP
Pd - рассеивание мощности11.9 W
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)220 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.200 V
Максимальный постоянный ток коллектора5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер37 mV
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)105 MHz

Техническая документация