Моя заявка (0)

ZXTP01500BGTC, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 500 V, 150 mA, 2 W, SOT-223, Surface Mount

ZXTP01500BGTC, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 500 V, 150 mA, 2 W, SOT-223, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8016665841
Артикул
ZXTP01500BGTC
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.11
Серия
ZXTP01500B
Корпус
SOT-223
Power Dissipation
2Вт
Цена по запросу
(от 94 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 500V PNP HiPerf Transistor

Технические параметры

Вес, г0.11
СерияZXTP01500B
КорпусSOT-223
Power Dissipation2Вт
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min15hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Квалификация-
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-223-3
Continuous Collector Current150мА
Collector Emitter Voltage Max500В
DC Усиление Тока hFE15hFE
Линейка Продукции-
Частота Перехода ft60МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность ТранзистораPNP
Pd - рассеивание мощности3 W
Размер фабричной упаковки4000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Непрерывный коллекторный ток150 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)500 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.500 V
Максимальный постоянный ток коллектора500 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)60 MHz

Техническая документация