ZXTP01500BGTC, Bipolar Transistors - BJT 500V PNP HiPerf Transistor
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005061267
- Артикул
- ZXTP01500BGTC
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.11
- Серия
- ZXTP01500B
- Power Dissipation
- 2Вт
- Структура
- pnp
Цена по запросу
(от 74,30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 500V PNP HiPerf Transistor
Технические параметры
| Вес, г | 0.11 |
| Серия | ZXTP01500B |
| Power Dissipation | 2Вт |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 15hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | - |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-3 |
| Continuous Collector Current | 150мА |
| Collector Emitter Voltage Max | 500В |
| DC Усиление Тока hFE | 15hFE |
| Линейка Продукции | - |
| Частота Перехода ft | 60МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 150 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 500 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 500 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 60 MHz |