Моя заявка (0)

ZXTN617MATA, 15V 1.5W 80@12A,2V 4.5A NPN DFN-3(2x2) BIpolar TransIstors - BJT

ZXTN617MATA, 15V 1.5W 80@12A,2V 4.5A NPN DFN-3(2x2) BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070176445
Артикул
ZXTN617MATA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.06
Серия
ZXTN617
Transistor Type
NPN
Power Dissipation
2.45Вт
Цена по запросу
(от 60,26 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN

Технические параметры

Вес, г0.06
СерияZXTN617
Transistor TypeNPN
Power Dissipation2.45Вт
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)4.5A
Power Dissipation (Pd)1.5W
DC Current Gain hFE Min150hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Квалификация-
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)120MHz
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокDFN2020B-3
Continuous Collector Current4.5А
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)80@12A, 2V
Collector Emitter Voltage Max15В
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
DC Усиление Тока hFE150hFE
Линейка Продукции-
Частота Перехода ft120МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)15V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности1.5 W
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораDFN2020
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@4.5A, 100mA
Непрерывный коллекторный ток4.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.15 V
Максимальный постоянный ток коллектора5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)120 MHz

Техническая документация