ZXTN617MATA, 15V 1.5W 80@12A,2V 4.5A NPN DFN-3(2x2) BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070176445
- Артикул
- ZXTN617MATA
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.06
- Серия
- ZXTN617
- Transistor Type
- NPN
- Power Dissipation
- 2.45Вт
Цена по запросу
(от 60,26 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Технические параметры
| Вес, г | 0.06 |
| Серия | ZXTN617 |
| Transistor Type | NPN |
| Power Dissipation | 2.45Вт |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 4.5A |
| Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
| DC Current Gain hFE Min | 150hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | - |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 120MHz |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | DFN2020B-3 |
| Continuous Collector Current | 4.5А |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@12A, 2V |
| Collector Emitter Voltage Max | 15В |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| DC Усиление Тока hFE | 150hFE |
| Линейка Продукции | - |
| Частота Перехода ft | 120МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 15V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | DFN2020 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@4.5A, 100mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 4.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 15 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |