ZXTN5551FLTA, 160V 330mW 80@10mA,5V 600mA NPN SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070198990
- Артикул
- ZXTN5551FLTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- ZXTN555
- Вес, г
- 0.06
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 33,11 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | ZXTN555 |
| Вес, г | 0.06 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Pd - Power Dissipation: | 330 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 80 at 1 mA, 5 V |
| Gain Bandwidth Product fT: | 130 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 180 V |
| Maximum DC Collector Current: | 600 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 160 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 115 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |