Моя заявка (0)

ZXTN5551FLTA, 160V 330mW 80@10mA,5V 600mA NPN SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT

ZXTN5551FLTA, 160V 330mW 80@10mA,5V 600mA NPN SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070198990
Артикул
ZXTN5551FLTA
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
ZXTN555
Вес, г
0.06
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 33,11 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:ZXTN555
Вес, г0.06
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23(TO-236)
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Pd - Power Dissipation:330 mW
DC Current Gain hFE Max:80 at 1 mA, 5 V
Gain Bandwidth Product fT:130 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Collector- Base Voltage VCBO:180 V
Maximum DC Collector Current:600 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:160 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:115 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация