Моя заявка (0)

ZXTN4000ZTA, Trans GP BJT NPN 60V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

ZXTN4000ZTA, Trans GP BJT NPN 60V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001351712
Артикул
ZXTN4000ZTA
Бренд
DIODES INC.
Tab
Tab
PPAP
No
Type
NPN
Brand:
Diodes Incorporated
Цена по запросу
(от 40 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Trans GP BJT NPN 60V 1A 1500 МВт 4-контактный(3+вкладки) SOT-89 T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
TypeNPN
Brand:Diodes Incorporated
EU RoHSCompliant
Series:ZXTN4000
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count4
AutomotiveNo
Lead ShapeFlat
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-89/TO-243
ConfigurationSingle Dual Collector
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-89-3
Product CategoryBipolar Power
Supplier PackageSOT-89
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Standard Package NameSOT
Minimum DC Current Gain60@85mA@0.1V|100@150mA@0.15V
Pd - Power Dissipation:1.5 W
Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
Number of Elements per Chip1
Collector- Base Voltage VCBO:60 V
Maximum DC Collector Current:1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Maximum Power Dissipation (mW)1500
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:60
Maximum DC Collector Current (A)1
Maximum Emitter Base Voltage (V)7
Maximum Collector Base Voltage (V)60
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:60 V
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)60
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация