ZXTN25100DGTA, 50nA 100V 1.2W 10@3A,2V 3A 175MHz 200mV@3A,600mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017630771
- Артикул
- ZXTN25100DGTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.14
- Длина
- 6.7 mm (Max)
- Серия
- ZXTN25100
- Высота
- 1.65 mm (Max)
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 100V HIGH GAIN
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Длина | 6.7 mm (Max) |
| Серия | ZXTN25100 |
| Высота | 1.65 mm (Max) |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.7 mm (Max) |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 5300 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 175 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz |