Моя заявка (0)

Diodes Inc ZXTN25100DGTA NPN Transistor, 3 A, 100 V, 3 + Tab-Pin SOT-223

Diodes Inc ZXTN25100DGTA NPN Transistor, 3 A, 100 V, 3 + Tab-Pin SOT-223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009824781
Артикул
ZXTN25100DGTA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
4
Длина
6.7 mm (Max)
Серия
ZXTN25100
Высота
1.65 mm (Max)
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 100V HIGH GAIN

Технические параметры

Вес, г4
Длина6.7 mm (Max)
СерияZXTN25100
Высота1.65 mm (Max)
КорпусSOT-223
Ширина3.7 mm (Max)
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-223-4
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности5300 mW
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)180 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.100 V
Максимальный постоянный ток коллектора3 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)175 MHz

Техническая документация