Моя заявка (0)

ZXTN25100DGQTA, 50nA 100V 1.2W 10@3A,2V 3A 175MHz 200mV@3A,600mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT

ZXTN25100DGQTA, 50nA 100V 1.2W 10@3A,2V 3A 175MHz 200mV@3A,600mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062585604
Артикул
ZXTN25100DGQTA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.22
Корпус
SOT-223
Power Dissipation
5.3Вт
Структура
npn
Цена по запросу
(от 147,05 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.22
КорпусSOT-223
Power Dissipation5.3Вт
Структураnpn
DC Current Gain hFE Min10hFE
КвалификацияAEC-Q101
Continuous Collector Current3А
Collector Emitter Voltage Max100В
DC Усиление Тока hFE10hFE
Линейка Продукции-
Частота Перехода ft175МГц
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность ТранзистораNPN
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц175