Моя заявка (0)

ZXTN25060BZTA, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 5 A, 4.46 W, SOT-89, Surface Mount

ZXTN25060BZTA, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 5 A, 4.46 W, SOT-89, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8016498468
Артикул
ZXTN25060BZTA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.001
Длина
4.6 mm (Max)
Серия
ZXTN25060
Power - Max
2.4 W
Цена по запросу
(от 158 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V 5A

Технические параметры

Вес, г0.001
Длина4.6 mm (Max)
СерияZXTN25060
Power - Max2.4 W
Высота1.6 mm (Max)
КорпусSOT-89/TO-243
Ширина2.6 mm (Max)
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-243AA
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)5A
Frequency - Transition185MHz
Pd - Power Dissipation2.4W
Power Dissipation (Pd)2.4W
Supplier Device PackageSOT-89-3
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)185MHz
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-89-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@10mA, 2V
Maximum DC Collector Current5A
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic305mV @ 500mA, 5A
Current - Collector (Ic) (Max)5 A
Collector Cut-Off Current (Icbo)50nA
Current - Collector Cutoff (Max)50nA(ICBO)
Collector-Emitter Breakdown Voltage60V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 2V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)60V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60 V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности4460 mW
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)240mV@5A, 500mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)150 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)5
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора5 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)185 MHz

Техническая документация