Моя заявка (0)

ZXTN25040DZTA, Транзистор биполярный BJT 50 нА 40 В 2,4 Вт 10 при 10 А, 2 В 5 А 190 МГц 190 мВ при 5 А, 500 мА NPN -55°C+150°C@(Tj) SOT-89-3

ZXTN25040DZTA, Транзистор биполярный BJT 50 нА 40 В 2,4 Вт 10 при 10 А, 2 В 5 А 190 МГц 190 мВ при 5 А, 500 мА NPN -55°C+150°C@(Tj) SOT-89-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070047216
Артикул
ZXTN25040DZTA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.09
Длина
4.6 mm
Серия
ZXTN25040
Высота
1.6 mm
Цена по запросу
(от 180 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 40V HIGH GAIN

Технические параметры

Вес, г0.09
Длина4.6 mm
СерияZXTN25040
Высота1.6 mm
Ширина2.6 mm
Power Dissipation4.46Вт
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min20hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Квалификация-
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-89-3
Continuous Collector Current5А
Collector Emitter Voltage Max40В
DC Усиление Тока hFE20hFE
Линейка Продукции-
Частота Перехода ft190МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности4460 mW
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-89
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)130 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Максимальный постоянный ток коллектора5 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 20 at 5 A, 2
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)190 MHz

Техническая документация