ZXTN25020DFLTA, Trans GP BJT NPN 20V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001091505
- Артикул
- ZXTN25020DFLTA
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 33 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT NPN 20V 2A 350 МВт 3-контактный SOT-23 T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 3.05 mm |
| Серия | ZXTN250 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.4 mm |
| Configuration | Single |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 80 4.5A 2V|220 2A 2V|300 10mA 2V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 350 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 2 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 215(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 20 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1 40mA 2A |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 10 mA at 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 10 mA at 2 V, 220 at 2 A at 2 V, 80 at 4.5 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 215 MHz |