ZXTN25020DFHTA, Trans GP BJT NPN 20V 4.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001168552
- Артикул
- ZXTN25020DFHTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 1
- Длина
- 3.05 mm
- Серия
- ZXTN250
- Power - Max
- 1.25 W
Цена по запросу
(от 44 ₽)
Минимальный заказ: 690 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 20V HIGH GAIN
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 3.05 mm |
| Серия | ZXTN250 |
| Power - Max | 1.25 W |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 215MHz |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 265mV @ 90mA, 4.5A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4.5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA(ICBO) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 10mA, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1810 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4.5 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 10 mA at 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 215 MHz |