Моя заявка (0)

ZXTN2011GTA, Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

ZXTN2011GTA, Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001097046
Артикул
ZXTN2011GTA
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
ZXTN201
Вес, г
1
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 97 ₽)
Минимальный заказ: 230 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:ZXTN201
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-223
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-4
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Pd - Power Dissipation:3 W
Gain Bandwidth Product fT:130 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
Collector- Base Voltage VCBO:200 V
Continuous Collector Current:6 A
Maximum DC Collector Current:6 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:190 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)6

Техническая документация