ZXTN2010ZQTA, 60V 1.5W 40@10A,1V 5A NPN SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070818006
- Артикул
- ZXTN2010ZQTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.16
- Серия
- ZXTN2010
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Power Dissipation
- 2.1Вт
Цена по запросу
(от 132,63 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Low Sat Transistor
Технические параметры
| Вес, г | 0.16 |
| Серия | ZXTN2010 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 2.1Вт |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 55hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Continuous Collector Current | 5А |
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| DC Усиление Тока hFE | 55hFE |
| Линейка Продукции | - |
| Частота Перехода ft | 130МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 8.1 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 190 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 20 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 230 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |