ZXTN2007ZTA, 50nA 30V 2.1W 30@20A,1V 6A 140MHz 150mV@6.5A,300mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017608045
- Артикул
- ZXTN2007ZTA
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.29.00.75
- Tab
- Tab
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 30V NPN Low Sat
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.75 |
| Tab | Tab |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Flat |
| Вес, г | 0.11 |
| Длина | 4.5 mm |
| Серия | ZXTN2007 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Высота | 1.5 mm |
| Корпус | SOT-89/TO-243 |
| Ширина | 2.48 mm |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Package Width | 2.6(Max) |
| Package Height | 1.6(Max) |
| Package Length | 4.6(Max) |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-89 |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 2.1W |
| Minimum DC Current Gain | 100@10mA@1V|100@1A@1V|100@7A@1V|20@20A@1V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Maximum DC Collector Current | 6A |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2100 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 6 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 140(Typ) |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 30V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 30 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1@300mA@6.5A |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2100 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.045@100mA@1A|0.19@300mA@6.5A|0.06@20mA@1A|0.035@20mA@0.5A|0.115@20mA@2A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 6 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 6 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 140 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |