ZXTN2007GTA, Bipolar Transistors - BJT 30V NPN Low Sat
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004842093
- Артикул
- ZXTN2007GTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- Brand
- Diodes Incorporated
Цена по запросу
(от 186 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 30V NPN Low Sat
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Series | ZXTN200 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.11 |
| Длина | 6.7 mm (Max) |
| Серия | ZXTN200 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Высота | 1.65 mm (Max) |
| Ширина | 3.7 mm (Max) |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 3 W |
| Minimum DC Current Gain | 100@1A@1V|100@7A@1V|20@20A@1V|100@10mA@1V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 140 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
| Continuous Collector Current | 7 A |
| Maximum DC Collector Current | 7 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 7 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 140(Typ) |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 30 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 30 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.13@300mA@6.5A |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 7 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 7 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |