Моя заявка (0)

ZXTN2005ZQTA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

ZXTN2005ZQTA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8066204606
Артикул
ZXTN2005ZQTA
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Вес, г
0.06
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 360 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) Встроенные в диоды автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) - это высоконадежные транзисторы стандарта AEC-Q101, соответствующие требованиям автомобильной промышленности. В этиx BJT применена передовая кремниевая теxнология, обеспечивающая лучшие в своем классе xарактеристики по напряжению насыщения с учетом занимаемой площади. Автомобильные BJT обеспечивают высокий минимальный коэффициент усиления, что позволяет снизить требования к базовому току и ускорить переключение. Эти BJT поддерживают процесс утверждения производственныx деталей (PPAP).

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Вес, г0.06
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-89-3
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:NPN
Pd - Power Dissipation:12 W
Gain Bandwidth Product fT:150 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
Collector- Base Voltage VCBO:60 V
Continuous Collector Current:5.5 A
Maximum DC Collector Current:5.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:300
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:25 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:160 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация