Моя заявка (0)

ZXTN19100CZTA, 50nA 100V 2.4W 30@5.25A,2V 5.25A 150MHz 215mV@5.25A,525mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT

ZXTN19100CZTA, 50nA 100V 2.4W 30@5.25A,2V 5.25A 150MHz 215mV@5.25A,525mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017625818
Артикул
ZXTN19100CZTA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.09
Корпус
SOT-89/TO-243
Transistor Type
NPN
Power Dissipation
26.6Вт
Цена по запросу
(от 55,35 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.09
КорпусSOT-89/TO-243
Transistor TypeNPN
Power Dissipation26.6Вт
Структураnpn
Collector Current (Ic)5.25A
Power Dissipation (Pd)2.4W
DC Current Gain hFE Min30hFE
Квалификация-
Transition Frequency (fT)150MHz
Continuous Collector Current5.25А
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)200@100mA, 2V
Collector Emitter Voltage Max100В
Collector Cut-Off Current (Icbo)50nA
DC Усиление Тока hFE30hFE
Линейка Продукции-
Частота Перехода ft150МГц
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)100V
Полярность ТранзистораNPN
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-89
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)215mV@5.25A, 525mA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц150