Моя заявка (0)

ZXTN19060CGTA,Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 7 A, 3 W, SOT-223, Surface Mount

ZXTN19060CGTA,Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 7 A, 3 W, SOT-223, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044525803
Артикул
ZXTN19060CGTA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.001
Длина
6.7 mm
Серия
ZXTN19060
Высота
1.65 mm
Цена по запросу
(от 310 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V 7A

Технические параметры

Вес, г0.001
Длина6.7 mm
СерияZXTN19060
Высота1.65 mm
КорпусSOT-223
Ширина3.7 mm
Transistor TypeNPN
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)7A
Power Dissipation (Pd)3W
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)130MHz
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-223-4
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)200@100mA, 2V
Collector Cut-Off Current (Icbo)50nA
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)60V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности5300 mW
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@7A, 700mA
Непрерывный коллекторный ток7 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)160 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора7 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер50 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.500 at 100 mA, 2 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25 at 7 A, 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)130 MHz

Техническая документация