ZXTN19055DZTA, Bipolar Transistors - BJT 20V NPN HIGH GAIN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005648392
- Артикул
- ZXTN19055DZTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.15
- Transistor Type
- NPN
- Power Dissipation
- 2.1Вт
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 119,34 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.15 |
| Transistor Type | NPN |
| Power Dissipation | 2.1Вт |
| Структура | npn |
| Collector Current (Ic) | 6A |
| Power Dissipation (Pd) | 2.1W |
| DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
| Квалификация | - |
| Transition Frequency (fT) | 200MHz |
| Continuous Collector Current | 6А |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 250@10mA, 2V |
| Collector Emitter Voltage Max | 55В |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| DC Усиление Тока hFE | 30hFE |
| Линейка Продукции | - |
| Частота Перехода ft | 200МГц |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 55V |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 170mV@6A, 600mA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |