ZXTN19020DZTA, Bipolar Transistors - BJT NPN 20V HIGH GAIN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005475453
- Артикул
- ZXTN19020DZTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.05
- Длина
- 4.6 mm (Max)
- Серия
- ZXTN190
- Высота
- 1.6 mm (Max)
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 20V HIGH GAIN
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 4.6 mm (Max) |
| Серия | ZXTN190 |
| Высота | 1.6 mm (Max) |
| Ширина | 2.6 mm (Max) |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 7.5A |
| Power Dissipation (Pd) | 2.4W |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 160MHz |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 300@100mA, 2V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 20V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 4460 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 155mV@7.5A, 375mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 70 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 7.5 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 100 mA at 2 V, 260 at 2 A at 2 V, 150 at 7. |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 160 MHz |