ZXTN19020DGTA, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 20 V, 9 A, 5.3 W, SOT-223, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016819897
- Артикул
- ZXTN19020DGTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Pin Count
- 3+Tab
- Вес, г
- 0.001
- Длина
- 6.7 mm
- Серия
- ZXTN190
Цена по запросу
(от 174 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 20V HIGH GAIN
Технические параметры
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 0.001 |
| Длина | 6.7 mm |
| Серия | ZXTN190 |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Высота | 1.65 mm |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.7 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Power Dissipation | 5.3Вт |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 130hFE |
| Minimum DC Current Gain | 300 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | - |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 9.4 W |
| Maximum Operating Frequency | 160 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Continuous Collector Current | 9А |
| Maximum DC Collector Current | 9 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 7 V |
| Collector Emitter Voltage Max | 20В |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 70 V |
| DC Усиление Тока hFE | 130hFE |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V |
| Линейка Продукции | - |
| Частота Перехода ft | 160МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 5300 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 70 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 9 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 100 mA, 2 V, 260 at 2 A, 2 V, 130 at 9 A, |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 160 MHz |