Моя заявка (0)

ZXTD6717E6TA, 1.1W 1PCSNPN&1PCSPNP SOT-26 BIpolar TransIstors - BJT

ZXTD6717E6TA, 1.1W 1PCSNPN&1PCSPNP SOT-26 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024878801
Артикул
ZXTD6717E6TA
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Вес, г
0.13
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 59 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Вес, г0.13
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:SOT-23-6
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor TypeNPN+PNP
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN, PNP
Collector Current (Ic)1.5A;1.25A
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)1.1W
Pd - Power Dissipation:1.7 W
DC Current Gain hFE Max:200 at 10 mA, 2 V
Transition Frequency (fT)180MHz;220MHz
Gain Bandwidth Product fT:180 MHz, 220 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)250@500mA, 2V;200@500mA, 2V
Collector- Base Voltage VCBO:15 V, 12 V
Maximum DC Collector Current:1.5 A, 1.25 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector Cut-Off Current (Icbo)10nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:15 V, 12 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:205 mV, 185 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)15V;12V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)205mV@1.5A, 20mA;185mV@1.25A, 100mA

Техническая документация