ZXTD619MCTA, Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 50 V, 4 A, 1.7 W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016498478
- Артикул
- ZXTD619MCTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.001
- Серия
- ZXTD619
- Структура
- npn
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 179 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Dual 50V NPN Low Sat 4A Ic 68mOhm 6A HFE
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| Серия | ZXTD619 |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | DFN3020B-8 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2.45 W |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 270 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 at 200 mA, 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 200 mA, 2 V |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 165 MHz |